Name: TOSHIBA TLP621-2(GB,F)
Brand: TOSHIBA
Availability: InStock

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符，本页不放同系列近似图；如需实物照片，请联系销售获取本批次实拍。

引脚定义与内部结构

数据来源：原厂规格书引脚图

超过下表数值可能造成器件永久损坏，设计时请留余量。

Characteristic	符号	TLP621−2	单位
	TLP621	TLP621−4
Forward current	IF 60	50	mA
Forward current derating	(Note 1) ΔIF /°C −0.7 (Ta ≥	39°C) −0.5 (Ta ≥ 25°C)	mA /°C
Pulse forward current	IFP 1	(100μs pulse, 100pps)	A
Power dissipation	PD 100	70	mW
Power dissipation derating	ΔPD /°C −1.0(Ta ≥	39°C) −0.7(Ta ≥ 25°C)	mW /°C
Junction temperature	Tj	125	°C
Collector−emitter voltage	VCEO	55	V
Emitter−collector voltage	VECO	7	V
Collector current	IC	50	mA
(1 circuit)	PC 150	100	mW
	ΔPC /°C −1.5	−1.0	mW /°C
(1 circuit, Ta ≥ 25°C)
Junction temperature	Tj	125	°C
Storage temperature range	Tstg	−55 to 125	°C
Operating temperature range	Topr	−55 to 100	°C
Lead soldering temperature	Tsol	260 (10 s)	°C
Total package power dissipation	PT 250	150	mW
Total package power dissipation	derating
(Ta ≥ 25°C)	ΔPT /°C −2.5	−1.5	mW /°C
Isolation voltage	(Note 2) BVS 5000	(AC, 60 s., R.H.≤ 60 %)	Vrms

数据来源：原厂规格书

备注	1	:When	a	VDE	approved	型号	is	needed,
				File	No.E67349
		please		designate	the	Option	(D4).

Characteristic	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
Forward voltage	VF IF	= 10 mA	1.0	1.15	1.3	V
Capacitance	CT V	= 0 V, f = 1 MHz	—	30	—	pF
	V(BR) CEO IC	= 0.5 mA	55	—	—	V
rotceteD	V(BR) ECO IE	= 0.1 mA	7	—	—	V
		VCE = 24 V	—	10	100	nA
		VCE = 24 V, Ta = 85 °C	—	2	50	μA
	CCE V	= 0 V, f = 1 MHz	—	10	—	pF
			50	—	600
			TLP621,TLP621−2,TLP621−4

规格书为原厂公开资料，点击在新窗口打开下载。

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