Name: ONSEMI FOD3150ASD
Brand: ONSEMI
Availability: InStock

品牌说明

本型号属 安森美（onsemi） 产品线。安森美 2016 年收购仙童半导体（Fairchild Semiconductor，业内简称 FSC）并沿用其品牌标识（ON / FSC），因此很多旧型号的资料与封装仍标着 Fairchild / FSC，实际供货主体为安森美。本页参数与规格书均取自该产品线原厂资料，订货与包装请以安森美现行料号为准。

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符，本页不放同系列近似图；如需实物照片，请联系销售获取本批次实拍。

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产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书，点击可放大查看原始尺寸标注。

引脚定义与内部结构

引脚	符号	名称
3	A
4	NC
5	V
6	V
7	V
8	V

数据来源：原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF: 1.8
电源电压 VCC: 0 to 35
工作温度 TA: −1.8

产品特点 Features

High Noise Immunity characterized by 20 kV/ s
Mode Rejection
Use of P−channel MOSFETs at Output Stage Enables
Swing close to the Supply Rail
Wide Supply Voltage Range from 15 V to 30 V
Common
NC 1 8 V
Voltage
ANODE 2 7 V
FOD3150A

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C）

超过下表数值可能造成器件永久损坏，设计时请留余量。

符号	参数	值	单位
T Storage	Temperature	−55 to +125	°C
T Operating	Temperature	−40 to +100	°C
T Junction	Temperature	−40 to +125	°C
T Lead Wave	Solder Temperature	260 for 10 sec	°C
I Average Input	Current	25	mA
I Peak Output	Current (1)	3	A
V – V Supply Voltage		0 to 35	V
V Peak Output	Voltage	0 to V	V
PD Input Power	Dissipation (2) (4)	45	mW
PD Output Power	Dissipation (3) (4)	250	mW

数据来源：原厂规格书

安全与绝缘额定值（DIN EN/IEC 60747−5−5）

符号	参数	最小	典型	单位
Compliance with the safety	ratings shall be ensured by means of protective	circuits.
For Rated Main	Voltage < 150 Vrms		I–IV
For Rated Main	Voltage < 300 Vrms		I–IV
For Rated Main	Voltage < 450 Vrms		I–III
For Rated Main	Voltage < 600 Vrms		I–III
Pollution Degree	(DIN VDE 0110/1.89)		2
CTI Comparative	Tracking Index	175
V Input to Output	Test Voltage, Method b,	1669
V x 1.875	= V , 100% Production Test with tm = 1 second,	Partial
Input to Output	Test Voltage, Method a,	1335
V x 1.5 =	V , Type and Sample Test with tm = 60 second,	Partial
V Highest Allowable	Over Voltage	6000		Vpeak
External Clearance		7.4		mm
External Clearance	(for Option T−0.4” Lead Spacing)	10.16		mm
T Case Safety Limit	Values – Maximum Values Allowed in the Event	of a Failure		°C
Case	Temperature	150
I Input Current		25		mA
P Output Power	(Duty Factor ≤ 2.7 %)	250 109		mW µ

电气特性 Electrical Characteristics（TA = 25°C）

符号	参数	条件	最小	典型	最大	单位
V Input	Forward Voltage	I = 10 mA	1.2	1.5	1.8	V
(V F / T A )				−1.8		mV/°C
CIN Input	Capacitance	f = 1 MHz, V = 0 V		60		pF
IOH High	Level Output Current (7)	V = V – 3 V	−1.0	−2.0		A
		V = V – 6 V	−2.0
IOL Low	Level Output Current (7)	V = V + 3 V	1.0	2.0		A
		V = V + 6 V	2.0
VOH High	Level Output Voltage	I = 10 mA, I = −2.5 A	V – 6.25 V	V – 2.5 V		V
		F O	DD	DD
		I = 10 mA, I = −100 mA	V – 0.25 V	V – 0.1 V
		F O	DD	DD
VOL Low	Level Output Voltage	I = 0 mA, I = 2.5 A		V + 2.5 V	V + 6.25 V	V
		F O		SS	SS
		I = 0 mA, I = 100 mA		V + 0.1 V	V + 0.25 V
		F O		SS	SS
IDDH High	Level Supply Current	V = Open, I = 7 to 16 mA		2.8	5	mA
IDDL Low	Level Supply Current	V = Open, V = 0 to 0.8 V		2.8	5	mA
IFLH		I = 0 mA, V > 5 V		2.3	5.0	mA
VFHL		I = 0 mA, V < 5 V	0.8			V
VUVLO+		I = 1 0mA, V > 5 V	11	12.7	14	V
VUVLO–		I = 10 mA, V < 5 V	9.7	11.2	12.7	V
UVLO				1.5		V

订货信息与供货形式

See	detailed	ordering	and	包装	information	in	the	封装
See	detailed	ordering	and	shipping	information	in	the	package

应用领域 Applications

system.packaging 1 highPDIP8 GW PDIP8 9.655x6.6, 2.54PFUNCTIONAL BLOCK DIAGRAMIndustrial InverterUninterruptible Power SupplyInduction HeatingIsolated IGBT/Power MOSFET Gate DriveFOD3150A

资料下载

📄 FOD3150ASD 规格书 PDF

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FOD3150ASD 栅极驱动光耦